硅晶片激光加工方法和激光束加工装置
授权
摘要
一种通过沿着分割线照射激光束而在硅晶片内部沿着形成于硅晶片上的分割线形成变质层的硅晶片激光加工方法，其中激光束的波长设定为1100至2000nm。
基本信息
专利标题 ：
硅晶片激光加工方法和激光束加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779914A
申请号 ：
CN200510108610.4
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井祐介森重幸雄渡边阳介
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡胜利
优先权 ：
CN200510108610.4
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/428 H01L21/301 H01L21/78 H01L21/00 B23K26/00 B28D5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2009-01-14 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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