晶圆加工方法
授权
摘要
本发明提供一种晶圆加工方法，包括：在承载晶圆的表面涂覆磁性粒子；将待加工晶圆键合在涂覆有磁性粒子的承载晶圆上，其中，键合后的待加工晶圆与承载晶圆之间形成有金属固化层，并且磁性粒子位于承载晶圆与待加工晶圆之间；对待加工晶圆进行加工，加工后的晶圆为成品晶圆；在承载晶圆的下方放置磁铁，磁铁移动并带动磁吸粒子产生位移，使得磁吸粒子切割所述金属固化层，承载晶圆与成品晶圆之间出现缝隙；将激光照射在成品晶圆上，使得成品晶圆从承载晶圆上剥离。利用本发明，能够解决传统的晶圆加工方法能量消耗大和成本大等问题。
基本信息
专利标题 ：
晶圆加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108878342A
申请号 ：
CN201810678650.X
公开（公告）日 ：
2018-11-23
申请日 ：
2018-06-27
授权号 ：
CN108878342B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
牛小龙徐相英姜晓飞
申请人 ：
歌尔股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈英俊
优先权 ：
CN201810678650.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-12-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20180627
申请日 : 20180627
2018-11-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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