晶圆键合装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆键合装置，包括：第一承载台，用于承载待键合的第一晶圆；第二承载台，用于承载待键合的第二晶圆，第二承载台的承载面与第一承载台的承载面相对设置；待键合的第一晶圆与待键合的第二晶圆之间具有键合形变差，键合形变差表征第一晶圆与第二晶圆键合时的形变差异程度；调节组件，驱动连接第一承载台和/或第二承载台，用于调节键合形变差满足预设形变差阈值。本实用新型的晶圆键合装置解决了现有技术中的由于晶圆中的形变分布不对称，需要键合的两片晶圆的形变分布存在差别，进而无法对需要键合的两片晶圆进行准确对准，导致不同晶圆之间的键合精度较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
晶圆键合装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122399255.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
CN216213265U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
赵志远
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘鑫
优先权 ：
CN202122399255.8
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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