对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法，所述对准偏差量测方法包括：提供相键合的上层晶圆和下层晶圆；获得所述上层晶圆和/或所述下层晶圆上的位置点的实际坐标与理论坐标；根据所述实际坐标与所述理论坐标，计算获得所述位置点的非正交旋转偏差。本发明的技术方案使得非正交旋转偏差能够被单独量测且能够单独的在键合过程进行补偿，进而使得对准精度得到提高。
基本信息
专利标题 ：
对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284164A
申请号 ：
CN202111486653.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴星鑫
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111486653.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/18 H01L21/67 H01L21/683 G01B21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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