修正晶圆键合对准偏差的方法、晶圆键合方法及其系统
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摘要
本发明提供一种修正晶圆键合对准偏差的方法及系统，该系统包括：用于测量晶圆的实际厚度的晶圆厚度检测模块、用于存储晶圆的预设厚度及待键合的两片晶圆之间的最远预设距离的存储模块、用于获取晶圆的实际厚度、预设厚度及最远预设距离，并根据这三组参量获得两片晶圆之间的对准偏差值的数据处理模块、驱动移动部件运动的驱动模块及用于承载并固定待键合的晶圆的移动部件。采用本系统可以在键合两片晶圆前，根据晶圆的实际厚度调节两片晶圆之间的实际间距，使该值与两片晶圆之间的预设间距保持一致，两片晶圆键合后，晶圆发生形变量与预期值一致，从而保持两片晶圆之间良好的电性连接性，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
修正晶圆键合对准偏差的方法、晶圆键合方法及其系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783234A
申请号 ：
CN201911037131.6
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN110783234B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
尹朋岸王家文王涛胡思平
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN201911037131.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66 H01L21/18 H01L21/98
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20191029
申请日 : 20191029
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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