解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法
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摘要
本发明提供了一种解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法，提供待对准的晶圆，将晶圆内翘曲形变量小于300微米的区域设定为待检测区域；选择待检测区域内的多个对位标记进行坐标测量，建立粗对准偏差模型；选择待检测区域内的其余多个对位标记进行坐标测量，建立精对准偏差模型；对比粗对准偏差模型与精对准偏差模型并计算差值。由于粗对准步骤与精对准步骤选择的都是晶圆翘曲形变量小于300微米的区域内的对位标记，从而减少了粗对准偏差模型与精对准偏差模型之间的差值，避免了差值过大造成的晶圆退片的问题，避免了人工对准操作以及更改机器参数的风险，同时降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114038776A
申请号 ：
CN202210024325.8
公开（公告）日 ：
2022-02-11
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
CN114038776B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈超刘习军
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
沈宗晶
优先权 ：
CN202210024325.8
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L21/66 G03F9/00 G01B11/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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