一种晶圆键合方法

授权

摘要

本发明提供一种晶圆键合方法，根据已键合的上晶圆和下晶圆的相对形变量差值，通过向待键合的上晶圆和/或下晶圆施加应力，以在待键合的上晶圆和下晶圆上消除相对形变量差值，而后对待键合的上晶圆和下晶圆进行键合，以获得键合结构。该方法根据已键合的上晶圆和下晶圆的相对形变量差值，向待键合的上晶圆和/或下晶圆施加应力，待键合的上晶圆和/或下晶圆在键合之前产生形变，该形变与已键合的上晶圆和下晶圆的相对形变量的形变方向相反、形变量差值相同，待键合晶圆键合前的形变与键合过程中产生的形变相互补偿，使得键合后的上晶圆和下晶圆相互贴合，避免键合后上、下晶圆需要对准的图形产生错位，从而避免对器件的性能产生影响。

基本信息

专利标题：

一种晶圆键合方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111048429A

申请号：

CN201911345905.1

公开（公告）日：

2020-04-21

申请日：

2019-12-23

授权号：

CN111048429B

授权日：

2022-05-27

发明人：

叶国梁刘天建易洪昇胡杏

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘晓菲

优先权：

CN201911345905.1

主分类号：

H01L21/603

IPC分类号：

H01L21/603 H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

H01L21/603

包括运用压力的，例如热压黏结

法律状态

2022-05-27 ：

授权

2020-05-15 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20191223

2020-04-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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