消除晶圆翘曲的晶圆键合设备
授权
摘要
本实用新型提供一种消除晶圆翘曲的晶圆键合设备，设备包括：光敏测距器件，用于通过光学信号的接收和反馈，确定第一、第二晶圆与光敏测距器件的距离分布，从而获取第一、第二晶圆的第一、第二翘曲分布值；吸附装置，包括多个吸附单元，根据第二晶圆需要补偿的吸附值，向第二晶圆给予吸附力，以定量补偿第二晶圆的形变量，使第一晶圆与第二晶圆的键合面保持相对平行。本实用新型根据上下两个晶圆的翘曲分布，对下卡盘不同区域接入相应的真空吸附孔，通过控制不同区域吸附孔的吸附值，机械改变底层晶圆的翘曲状况，使上下两个晶圆处于相对平行状态，使得在晶圆受力键合过程中，气泡和对准精度误差大大减少，提高键合工艺质量。
基本信息
专利标题 ：
消除晶圆翘曲的晶圆键合设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022368838.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN213691966U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
霍进迁龚燕飞
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202022368838.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
