一种晶圆翘曲校正机构
授权
摘要
本实用新型公开一种晶圆翘曲校正机构，包括下真空型腔板、下加热板、下吸盘、上多孔负压吸盘、上加热板、产品解键合容置区域、同心圆槽、连接槽、负压源连接孔，所述下真空型腔板的下表面装配有下加热板，所述下真空型腔板的上表面放置有下吸盘，所述上多孔负压吸盘的上表面装配有上加热板，所述上多孔负压吸盘布置在所述下吸盘的正上方位置并相互同心配合形成产品解键合容置区域。通过上述方式，本实用新型提供一种晶圆翘曲校正机构，在上多孔负压吸盘上实施一次翘曲校正，在下吸盘上实施二次翘曲校正，在解键合作业的全程对晶圆实施防划伤保护，极大提高良品率，有效节约生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆翘曲校正机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120541240.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-16
授权号 ：
CN216487961U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
沈达薛亚玲蒋人杰
申请人 ：
吾拾微电子（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C2-401-003单元
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202120541240.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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