电阻测试结构

授权

摘要

本实用新型提供一种电阻测试结构，有利于接触孔电阻的测试。电阻测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，共用同一源区和阱区，第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及源区，第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及源区；后端导线，位于源区之上，且与所述源区相垂直；接触孔，位于源区与后端导线之间，用于实现后端导线与源区的互连；第一通孔，连接第一栅门与第二栅门；第二通孔和第三通孔，均设置在后端导线上，且位于接触孔的两侧；第四通孔和第五通孔，分别设置于第一漏区和第二漏区上；第六通孔，设置于阱区上；以及六组测试节点，包括分别连接第一至第六通孔的第一至第六测试节点，六组测试节点用于测试所述接触孔的电阻值。

基本信息

专利标题：

电阻测试结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022359891.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-21

授权号：

CN213026120U

授权日：

2021-04-20

发明人：

林均铭黄秋桐万海洋

申请人：

普迪飞半导体技术(上海)有限公司

申请人地址：

上海市杨浦区四平路1779号一层1016室

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王叶娟

优先权：

CN202022359891.3

主分类号：

H01L23/58

IPC分类号：

H01L23/58 G01R31/27