电阻测试结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种电阻测试结构及其制作方法，电阻测试结构包括：半导体衬底，包括有源区；测试晶体管结构，基于所述有源区形成，且包括测试栅极；导电连接结构，与各所述测试栅极及测试端口电连接；测试孔结构，位于所述测试晶体管结构与所述导电连接结构之间，与所述导电连接结构及所述测试栅极连接。本申请可以有效提高对接触孔电阻测试的准确性。
基本信息
专利标题 ：
电阻测试结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388478A
申请号 ：
CN202210048218.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜青松
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202210048218.9
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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