测试结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种测试结构及其制作方法,测试结构的制作方法包括:提供基底,并在所述基底上形成依次层叠的栅介质膜和导电膜;至少对所述导电膜进行图案化刻蚀,以形成位于所述基底上的多个分立的栅极结构,在所述栅极结构的排列方向上,相邻所述栅极结构之间的间距小于等于110nm;形成位于所述栅极结构相对两侧的隔离侧墙;以所述栅极结构和所述隔离侧墙为掩膜,向所述基底内注入掺杂离子,形成掺杂区,在垂直于所述基底表面的方向上,所述掺杂区的掺杂深度与所述基底顶面的间距小于10nm。本发明实施例有利于保证掺杂区电阻测试的准确性和有效性。
基本信息
专利标题 :
测试结构及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446812A
申请号 :
CN202011233637.7
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王翔宇李宁
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202011233637.7
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201106
申请日 : 20201106
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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