一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法
公开
摘要
本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，包括：沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；形成在浅沟槽隔离区和有源区上的至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，栅极结构至少与两个有源区交叠，并且栅极结构的线宽与器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；覆盖栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖测试结构的栅极结构两侧有源区的层间介质层中形成有接触孔；在层间介质层上形成的至少两个沿第一方向延伸的金属走线，金属走线与至少两个有源区一一对应，通过接触孔与对应的有源区电接触。
基本信息
专利标题 ：
一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300444A
申请号 ：
CN202111676857.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
代佳张小麟于江勇
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
付生辉
优先权 ：
CN202111676857.1
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 G01R31/28 G01R31/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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