接触结构的制作方法

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摘要

本发明公开一种接触结构的制作方法，其包括下列步骤，提供基底，基底包括第一区与第二区。在基底上形成介电层，并于介电层上形成光致抗蚀剂层。进行曝光制作工艺，曝光制作工艺包括多个第一曝光步骤与多个第二曝光步骤。各第一曝光步骤是对基底的第一区的一部分进行。各第二曝光步骤是对基底的第二区的一部分进行，且各第二曝光步骤是在以第一预定距离形成的第一叠对偏移的状况下进行。进行显影制作工艺，用以在光致抗蚀剂层中形成多个开口。

基本信息

专利标题：

接触结构的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113608409A

申请号：

CN202011208320.8

公开（公告）日：

2021-11-05

申请日：

2020-11-03

授权号：

CN113608409B

授权日：

2022-04-01

发明人：

何熊武徐伟国白源吉谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区万家春路899号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN202011208320.8

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F1/00 H01L21/027