全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法

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摘要

一种全向内埋模组，包括：一绝缘基材，所述绝缘基材包括一第一表面、一与所述第一表面相背的第二表面及多个连接所述第一表面与第二表面的侧面；多个形成在所述绝缘基材第一表面上的第一内埋焊盘；多个形成在所述绝缘基材第二表面上的第二内埋焊盘；及多个内埋于所述绝缘基材内且部分从所述绝缘基材的多个侧面裸露出来的侧壁线路，多个侧壁线路分别与多个所述第一内埋焊盘及多个所述第二内埋焊盘电连接。本发明还涉及一种全向内埋模组的制作方法、封装结构及其制作方法。本发明提供的全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法能够实现全方向导通，从而能够大幅度增加封装结构的封装弹性及信号传输的路径，且能够减少封装制程。

基本信息

专利标题：

全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112770495A

申请号：

CN201911002167.0

公开（公告）日：

2021-05-07

申请日：

2019-10-21

授权号：

CN112770495B

授权日：

2022-05-27

发明人：

傅志杰

申请人：

宏启胜精密电子（秦皇岛）有限公司;鹏鼎控股（深圳）股份有限公司

申请人地址：

河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司

代理人：

叶乙梅

优先权：

CN201911002167.0

主分类号：

H05K1/18

IPC分类号：

H05K1/18 H05K3/32 H05K3/34