本发明提供了一种电极接触窗口的制作方法及半导体结构制备方法，涉及半导体加工技术领域，方法包括以下步骤：在光阻层的上方设置掩模版，掩模版上具有透光区域，透光区域包括第一透光部，第一透光部的横向两侧均分别连接有由内向外依次连接的第二透光部、第三透光部……第n透光部，相邻两者中，前一者的透光率大于后一者的透光率；通过上述掩模版对光阻层进行曝光；对曝光后的光阻层进行显影处理，以使最靠近脊波导结构的台阶的上表面低于顶部部分的上表面；对光阻层上的阶梯状形貌进行热处理，以使阶梯状形貌软化回流形成斜坡形貌，斜坡形貌横向上靠近所述脊波导结构的边沿位于所述顶部部分的上表面的边沿处。