本发明提供一种接触孔及其制作方法，该接触孔制作方法包括以下步骤，提供一半导体结构，其中，半导体结构包括多个间隔设置的闸极结构及覆盖闸极结构的层间介质层，于层间介质层的上表面形成一光阻层中，并图案化光阻层以得到光阻开口；基于图案化的光阻层形成接触孔于层间介质层，且于形成接触孔的过程中扩大光阻开口以使接触孔的内壁形成内壁转角；去除光阻层，并圆化接触孔的顶部转角及接触孔的内壁转角。本发明通过设计形成接触孔的步骤，当接触孔的底面与闸极结构上表面齐平时，增加扩大光阻开口的步骤，形成接触孔后增加圆化接触孔的顶部转角及内壁转角的步骤，增大了后续沉积步骤的沉积面积，降低了沉积难度，提升了后续沉积步骤的良率。