具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。
基本信息
专利标题 ：
具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267727A
申请号 ：
CN202111538504.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘胜厚林科闯孙希国其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
宋南
优先权 ：
CN202111538504.5
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/417 H01L29/45 H01L29/778 H01L21/335 H01L21/265
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/08
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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