一种高可靠性低接触电阻型GaN基器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高可靠性低接触电阻型GaN基HEMT器件及其制作方法。所述方法包括在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道区、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上沉积氧化硅掩膜；在氧化硅掩膜上沉积氧化铝掩膜；在氧化铝表面光刻出源漏电极区域并刻蚀出向下延伸至沟道区的凹槽；利用湿法工艺在氧化铝/氧化硅掩膜边缘制作出undercut结构；在凹槽中生长重掺杂的n+材料；利用湿法腐蚀去除掩膜及掩膜上的多晶材料；制备源漏金属电极；沉积钝化层并在钝化层上制备通孔和凹槽；在所述凹槽上制备栅电极；进行金属互连。本发明可以明显改善欧姆再生长区域边缘形貌，提升器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性低接触电阻型GaN基器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361030A
申请号 ：
CN202111396397.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祝杰杰马晓华郭静姝赵旭徐佳豪
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111396397.7
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/033 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20211123
申请日 : 20211123
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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