本发明提供了一种电极接触窗口的制作方法及半导体器件的制备方法，涉及半导体加工技术领域，方法包括以下步骤：在光阻材料层的上方设置掩模版，掩模版上具有透光结构，透光结构包括第一区域、第二区域和第三区域；第二区域的透光率分别小于第一区域和第三区域的透光率；第一区域位于脊波导的上方，且第一区域的横向上的两边沿在基材上的投影分别位于脊波导的两侧；对曝光后的光阻材料层进行显影处理，以使覆盖在上侧结构的光阻材料层全部去除，并使位于第二区域的正下方的光阻材料层形成上凸形态；对上凸形态进行热处理，上凸形态自球化，以形成球冠形态，球冠形态横向上靠近所述脊波导的边沿位于所述上侧结构的上表面的边沿处。