基于单面工艺的非接触式红外温度传感器的制作方法

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摘要

本发明提供一种基于单面工艺的非接触式红外温度传感器的制作方法，包括：于基底中刻蚀凹槽；于凹槽中填充低温气化材料；于基底及低温气化材料上制作非接触式红外温度传感器结构，保留气化通孔；以及在气化气氛下加热低温气化材料，使低温气化材料气化并藉由气化通孔排出，释放出凹槽，以形成非接触式红外温度传感器的绝热空腔。本发明利用常态下呈固体，在气化气氛下加热可以气化而被完全消耗的低温气化材料，采用单面工艺替代传统的双面工艺对硅衬底进行加工形成绝热腔，完成非接触式红外温度传感器的制作。本发明解决了双面工艺对准精度要求高、耗时长，成本高等缺点，可大大提高生产效率，降低产品成本。

基本信息

专利标题：

基于单面工艺的非接触式红外温度传感器的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110567593A

申请号：

CN201810569476.5

公开（公告）日：

2019-12-13

申请日：

2018-06-05

授权号：

CN110567593B

授权日：

2022-04-12

发明人：

张颖王旭洪宓斌玮叶建忠

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2015室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

罗泳文

优先权：

CN201810569476.5

主分类号：

G01J5/12

IPC分类号：

G01J5/12