硅片表面接触孔的制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种硅片表面接触孔的制作方法，首先，检测出同一硅片不同形貌位置上接触孔尺寸的偏差，然后，调整光刻板的尺寸，使不同形貌位置的光刻板尺寸＝原有的光刻板尺寸－不同形貌位置上接触孔尺寸的偏差。本发明可使同一硅片不同形貌位置上的接触孔尺寸具有较好的均一性。
基本信息
专利标题 ：
硅片表面接触孔的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971415A
申请号 ：
CN200510110708.3
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周贯宇吕煜坤
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110708.3
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00 G03F7/00 H01L21/00 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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