硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片，基于本发明所提供的硅片复合绒面制作方法，能够在硅片表面的正金字塔结构上进一步形成腐蚀坑，使得所获取的硅片表面形成有由正金字塔结构与腐蚀坑共同构成的复合绒面，在具体应用于太阳能电池片的场景中，该复合绒面具有正金字塔钝化效果好、开压高的优点；还能够兼具腐蚀坑陷光效果好、电流高、与电极接触面积大、接触电阻小的优势。
基本信息
专利标题 ：
硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551614A
申请号 ：
CN202011331132.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶晓亚曹芳周思洁邹帅王栩生
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011331132.4
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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