硅片表面平坦度的优化方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种硅片表面平坦度的优化方法，包括利用抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛阶段、中抛阶段和精抛阶段，通过调整每个阶段各抛光步骤中抛光时间、抛光液成分及配比、抛光液流量的参数对硅片进行抛光。本发明能够提高硅片表面平坦度，使生产出来的硅片表面更加平整，提高硅片的质量。
基本信息
专利标题 ：
硅片表面平坦度的优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114473641A
申请号 ：
CN202210052598.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王慧周诗温玉楠
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210052598.3
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B37/11 B24B37/27 B24B37/34 B24B57/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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