一种清除硅片表面污染杂质的方法
授权
摘要
本发明公开了一种清除硅片表面污染杂质的方法，属于半导体器件清洗的技术领域；该清除硅片表面污染杂质的方法分为以下步骤：水洗、酸洗、碱洗、有机溶剂洗涤和真空干燥。本清洗方法有以下优点：1.无机污染物、有机物污染物和微生物通过清洗液的清洗之后，都变成易溶于水的离子状态或者易挥发的气体状态，不易残留在硅片表面；2.清洗剂中所使用的物料简单易得，并且便于储存；3.所使用的清洗原料绿色环保且成本低廉；4.清洗液便于回收使用。
基本信息
专利标题 ：
一种清除硅片表面污染杂质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111554564A
申请号 ：
CN202010295957.9
公开（公告）日 ：
2020-08-18
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN111554564B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
石坚
申请人 ：
山东九思新材料科技有限责任公司
申请人地址 ：
山东省济宁市泗水县经济开发区泉济路23号
代理机构 ：
济南舜昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
宋玉霞
优先权 ：
CN202010295957.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C11D7/08 C11D7/10 C11D7/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-09-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200415
申请日 : 20200415
2020-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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