测试结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种测试结构，测试结构包括：衬底，衬底内具有若干硅通孔结构，若干硅通孔结构通过连接线连接成若干相互邻近的测试通路，测试通路上具有测试焊盘。上述测试结构能够对硅通孔进行电性监控，能够监控硅通孔之间的短路、漏电情况，能够反映硅通孔的侧壁是否完整以及绝缘层的品质，还能监控多层芯片之间的键合情况以及是否有侧向刻蚀，使得产品良率提升，保障了质量，节约成本。
基本信息
专利标题 ：
测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922197906.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211017065U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922197906.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/66 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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