阵列器件测试装置及测试方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种阵列器件测试装置，包括：装载板，用于装载待测的阵列器件；主控电路板，与所述装载板电连接，用于选择所述阵列器件中特定地址的单元器件，并控制施加给所述单元器件的直流信号与脉冲信号之间的切换；半导体参数分析仪，用于输出所述直流信号或所述脉冲信号对所述特定地址的单元器件进行测试；控制主机，用于控制所述主控电路板和所述半导体参数分析仪，并对所述半导体参数分析仪测试的结果进行统计分析。本公开另一方面还提供一种阵列器件的测试方法。
基本信息
专利标题 ：
阵列器件测试装置及测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114264927A
申请号 ：
CN202111585674.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚志宏余兆安董大年吴飞宏梁圣法卢年端
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李世阳
优先权 ：
CN202111585674.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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