能双面散热的功率半导体器件老化座装置
授权
摘要

本实用新型涉及一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。其包括座体下盖以及座体上盖,在所述座体上盖设置上盖散热器,在座体下盖上设置下盖散热器;通过座体上盖能将支撑在座体下盖上的功率半导体器件压紧在所述座体下盖上,且座体上盖通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖相互锁紧;功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时,功率半导体器件的器件端子能位于所述座体上盖、座体下盖相对应的外侧,通过上盖散热器、下盖散热器能对功率半导体器件进行散热。本实用新型对老化试验中的功率半导体器件能进行双面散热,提高散热速度,确保功率半导体器件在老化试验中的可靠性,结构紧凑,使用简单,安全可靠。

基本信息
专利标题 :
能双面散热的功率半导体器件老化座装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022164128.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN213210350U
授权日 :
2021-05-14
发明人 :
孙元鹏梁林杰宋志威张文亮
申请人 :
山东阅芯电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省威海市荣成市崂山南路788号
代理机构 :
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 :
韩凤
优先权 :
CN202022164128.5
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R31/00  G01R1/04  H05K7/20  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213210350U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332