半导体存贮器的老化起动电路及老化测试方法

专利权的终止

摘要

一个半导体存储器的老化启动电路和老化测试方法。该老化测试模式依靠在半导体芯片多个管脚中的一个特定管脚上加载高于外部电源电压的高电压来进行。在该老化测试中，芯片中字线的复位操作被关闭，而高电压被依次加载到所有可访问的晶体管上。在这种情况下，一旦选通一字线，该字线便能持续保持此状态，同时所有字线也被置为逻辑“高”状态。这样，即可大大缩短老化时间并可获得一可靠的老化测试。

基本信息

专利标题：

半导体存贮器的老化起动电路及老化测试方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1083971A

申请号：

CN93109400.3

公开（公告）日：

1994-03-16

申请日：

1993-07-31

授权号：

CN1043081C

授权日：

1999-04-21

发明人：

崔润浩

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

黄向阳

优先权：

CN93109400.3

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G11C29/00

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2013-11-06 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101536332803
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL931094003
申请日 : 19930731
授权公告日 : 19990421
期满终止日期 : 20130731

1999-04-21 ：

授权

1995-09-06 ：

实质审查请求的生效

1994-03-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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