非易失型半导体存贮器

专利权的终止

摘要

一种在编程时不必给未选位线加上高的编程禁止电压就能缩小芯片面积和功耗、防止过编程的非易失性半导体存贮器。在块擦除操作中，令被选存贮块的字线处于参考电压，而令未选字线处于浮动态，给衬底加上擦除电压，则处于浮动态的字线就会自动防止通过电容耦合上述擦除电压而被擦除。

基本信息

专利标题：

非易失型半导体存贮器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1092548A

申请号：

CN94100839.8

公开（公告）日：

1994-09-21

申请日：

1994-01-13

授权号：

CN1039608C

授权日：

1998-08-26

发明人：

徐康德金镇祺崔定

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴增勇

优先权：

CN94100839.8

主分类号：

G11C16/02

IPC分类号：

G11C16/02 H01L27/112

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/00

可擦除可编程序只读存储器

G11C16/02

电可编程序的

法律状态

2014-03-12 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101575524537
IPC(主分类) : G11C 16/02
专利号 : ZL941008398
申请日 : 19940113
授权公告日 : 19980826
期满终止日期 : 20140113

1998-08-26 ：

授权

1995-11-22 ：

实质审查请求的生效

1994-09-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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