半导体存贮器
专利权的终止
摘要

一同步DRAM,能同来自一外部系统的时钟同步地在其中一存贮单元阵列中存取数据。该同步DRAM接收一外部时钟并包括有大量的各有大量存贮单元并可操作在任有一效周期或一予充电周期的存贮体;一用于接收一行地址选通信号并响应该时钟而锁存该行地址选通信号的一逻辑电平的电路;用于接收一个存贮体的外部产生的地址的一地址输入电路;和用于接收该锁存的逻辑电平和来自地址输入电路的该地址的电路。

基本信息
专利标题 :
半导体存贮器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1089054A
申请号 :
CN93119604.3
公开(公告)日 :
1994-07-06
申请日 :
1993-09-30
授权号 :
CN1049514C
授权日 :
2000-02-16
发明人 :
朴哲佑张贤淳金哲洙金明镐李升勋李始烈李镐哲金泰禛崔润浩
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
肖掬昌
优先权 :
CN93119604.3
主分类号 :
G11C7/00
IPC分类号 :
G11C7/00  G11C11/40  G06F12/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2013-11-06 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101536329266
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利号 : ZL931196043
申请日 : 19930930
授权公告日 : 20000216
期满终止日期 : 20130930
2000-02-16 :
授权
1996-01-24 :
实质审查请求的生效
1994-07-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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