半导体存贮器件及其操作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体存储器件中有许多按阵列形式排列的存储单元，数据能写入存储单元中，并能顺序地读出。每个存储单元有开关元件，该开关元件的一端与阵列比特线连接，另一端与至少一个铁电电容器连接，其控制端与字线连接，当供给一个不足以引起铁电电容器状态变化的电压时，存储单元工作，用来检测铁电电容器的极化变化。此外，铁电电容器和除铁电电容器以外的另一电容器与开关元件连接。在另一种形式中，有许多铁电电容器与开关元件连接，这样，每一个单元中可以写入不同的数据。
基本信息
专利标题 ：
半导体存贮器件及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059798A
申请号 ：
CN91108568.8
公开（公告）日 ：
1992-03-25
申请日 ：
1991-08-03
授权号 ：
CN1035291C
授权日 ：
1997-06-25
发明人 ：
齐藤隆一小野濑秀胜小林裕大上三千男
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
冯赓宣
优先权 ：
CN91108568.8
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22 H01L27/04 H01L29/78
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/22
应用铁电元件的
法律状态
2005-09-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1997-06-25 ：
授权
1992-03-25 ：
公开
1992-03-04 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
