可擦除金属有机存贮器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属电子计算机技术领域，是一种电擦除可编程只读存贮器(E2PROM)，由基板及其上的迭层薄膜组成。该薄膜采用新材料金属有机络合物M1-β(TCNQ)制备获得，其构成如下，在基板上依次为铝层横条、半导体层、M1-β(TCNQ)层、铝层纵条，横条与纵条的垂直结点构成存贮单元。该器件具有存贮密度高、寻址速度快的特点，并可与硅器件兼容。为计算机硬件开发开辟了新的前景。
基本信息
专利标题 ：
可擦除金属有机存贮器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057542A
申请号 ：
CN91107454.6
公开（公告）日 ：
1992-01-01
申请日 ：
1991-07-17
授权号 ：
CN1021261C
授权日 ：
1993-06-16
发明人 ：
华中一陈国荣
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
200433上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN91107454.6
主分类号 ：
G11C11/21
IPC分类号 ：
G11C11/21
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
法律状态
1996-09-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-06-16 ：
授权
1992-01-01 ：
公开
1991-12-04 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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