动态存贮器器件及其制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
在沟槽电容器顶部叠放一个单晶存取数晶体管的三维动态随机存取存贮器器件结构及其制造方法，其中，籽晶由环绕电路单元的单晶半导体区域和/或沟槽的垂直侧壁所提供，而且其中的存取数晶体管由绝缘体加以隔离。在本结构中，沟槽位于包含N+重掺杂多晶硅的P+型衬底中。SiO2/Si3N4/SiO2复合膜用作电容存贮器的绝缘体。薄层SiO2安置在多晶硅之上。轻掺杂的P-型外延硅位于衬底和SiO2层之上。
基本信息
专利标题 ：
动态存贮器器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105868A
申请号 ：
CN86105868.2
公开（公告）日 ：
1987-06-10
申请日 ：
1986-09-09
授权号 ：
CN1005883B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
刘朝春
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约州10504
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
邓明
优先权 ：
CN86105868.2
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L29/76 H01L21/02 G11C11/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2002-05-01 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-08-08 ：
授权
1989-11-22 ：
审定
1989-02-08 ：
实质审查请求
1987-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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