动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103376A
申请号 ：
CN85103376.8
公开（公告）日 ：
1986-11-19
申请日 ：
1985-05-13
授权号 ：
CN1004734B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
查特基马利理查森
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN85103376.8
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L29/76 H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2001-01-03 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-04-04 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
1986-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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