二极管多值动态存贮器
被视为撤回的申请
摘要
本发明属于电子学。本发明利用二极管的正向电阻低的特点，进行正电压输入；利用其反向电阻极高的特点，当输入信号移走后，电荷漏泄较慢，而能将电荷保存一段时间，从而达到动态多值存贮的目的。这种方法具有器件少，引线少，便于大规模集成的优点。
基本信息
专利标题 ：
二极管多值动态存贮器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108526A
申请号 ：
CN85108526
公开（公告）日 ：
1986-09-03
申请日 ：
1985-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨光宇
申请人 ：
杨光宇
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市内蒙经委经济管理干部学院
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN85108526
主分类号 ：
G11C11/36
IPC分类号 ：
G11C11/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/36
应用二极管的，例如，阈值元件
法律状态
1989-03-15 ：
被视为撤回的申请
1986-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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