半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其能够提高其中导电塞位于电容器正下方的孔的形成精度，并且该方法包括如下步骤：在第一绝缘膜(11)中的第一和第二孔(11a，11b)内形成第一和第二导电塞(32a、32b)；在防氧化绝缘膜(14)内形成第一开口(14a)；在第一开口(14a)中形成辅助导电塞(36a)；在辅助导电塞(36a)上形成电容器(Q)；在覆盖电容器(Q)的第二绝缘膜(41)中形成第三和第四孔(41a、41b)；在第四孔(41b)下面的防氧化绝缘膜(14)中形成第二开口(14b)；在第三孔(41a)中形成第三导电塞(47a)；以及在第三孔(41a)中形成第四导电塞(47b)。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1905194A

申请号：

CN200610006188.6

公开（公告）日：

2007-01-31

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伊藤昭男佐次田直也

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200610006188.6

主分类号：

H01L27/105

IPC分类号：

H01L27/105 H01L21/8239

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

法律状态

2021-01-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/105
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20200125

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209842
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2006100061886
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209843
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2006100061886
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2008-12-17 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107

2008-12-10 ：

授权

2007-03-28 ：

实质审查的生效

2007-01-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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