本发明提供一种可以防止因存储单元元件区域宽度的减小导致元件特性恶化的半导体器件。该半导体器件具有在半导体衬底1上形成的元件隔离区域7a、由元件隔离区域7a所隔开的元件区域6a、在元件区域6a上形成的栅绝缘膜3a、在栅绝缘膜3a上形成的栅电极4a。此外，还具有在半导体衬底1上形成的元件隔离区域7b、由元件隔离区域7b所隔开的元件区域6b、在元件区域6b上形成的栅绝缘膜3b、在栅绝缘膜3b上形成的栅电极4b。在元件隔离区域7a和元件区域6a之间形成氧化硅膜8a，在元件隔离区域7b和元件区域6b之间形成氧化硅膜8b。元件隔离区域7a的宽度比元件隔离区域7b的宽度窄，氧化硅膜8a的厚度比氧化硅膜8b的厚度薄。