半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，以EEPROM3构成可电重写的非易失性存储器件，以OTPROM4a构成不可电重写的非易失性存储器件。由能以低成本且相同的制造工序制造的相变存储元件构成EEPROM3和OTPROM4a这两者，在EEPROM3中使用将相变材料的非晶状态和结晶状态用作存储信息的相变存储元件，在OPTROM4a中使用将相变材料的非断线状态和断线状态用作存储信息的相变存储元件。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101292350A

申请号：

CN200580051865.X

公开（公告）日：

2008-10-22

申请日：

2005-10-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

松崎望长田健一

申请人：

株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN200580051865.X

主分类号：

H01L27/105

IPC分类号：

H01L27/105 H01L45/00 G11C13/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

法律状态

2015-12-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636685351
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL200580051865X
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20120822
终止日期 : 20141017

2012-08-22 ：

授权

2010-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101046585281
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利申请号 : 200580051865X
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20101020

2008-12-17 ：

实质审查的生效

2008-10-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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