半导体器件及其制造方法
被视为撤回的申请
摘要
在ROM(只读存储器)中采用了MIS型多栅结构的晶体管，方法是在各栅中配置了阈值电压控制区和利用各栅的阈值电压差。在阈值电压控制区中，其中一个栅结构具有这样获得的多栅结构：采用第一栅结构部分作为掩模刻蚀衬底的半导体，以便在刻蚀过的表面形成规定的杂质扩散层，同时在该杂质扩散层上形成第二栅结构部分，所述第一和第二栅结构部分可采用自行配合的方法形成，它们的就位很简单，因而可进一步缩小各部件的体积，可构成适宜更高集成度的结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106738A
申请号 ：
CN87106738
公开（公告）日 ：
1988-04-06
申请日 ：
1987-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大沼诚
申请人 ：
松下电子工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87106738
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/18 H01L27/10 H01L21/72 G01C17/00
法律状态
1990-06-20 ：
被视为撤回的申请
1988-04-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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