功率半导体模块老化座装置

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摘要

本实用新型涉及一种老化座装置，尤其是一种功率半导体模块老化座装置，属于功率半导体老化试验的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述功率半导体模块老化座装置，包括老化板，在所述老化板上设置若干允许功率半导体模块嵌置的底座以及若干位于底座内的连接器，功率半导体模块嵌置在底座内且通过模块限位机构与底座紧固连接时，功率半导体模块能与所嵌置底座内的连接器电连接。本实用新型结构紧凑，能方便实现功率半导体模块与底座之间的装配，提高测试效率，降低测试成本，安全可靠。

基本信息

专利标题：

功率半导体模块老化座装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920866504.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-06

授权号：

CN210155256U

授权日：

2020-03-17

发明人：

孙元鹏孙浩强张文亮

申请人：

山东阅芯电子科技有限公司

申请人地址：

山东省威海市荣成市崂山南路788号

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司

代理人：

韩凤

优先权：

CN201920866504.X

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R1/04