功率半导体模块和逆变器装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种功率半导体模块和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT；以及寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命，由于影响功率半导体器件寿命的主要原因是功率半导体器件材料结合部连接劣化，一般主要发生在绑定线与芯片结合处、芯片与DBC绝缘基板焊锡层、DBC绝缘基板与铜底板焊锡层，以上三处的连接劣化(松脱或剥离)都会导致连接处的电阻升高，进而导致饱和压降VCESAT的升高，通过对饱和压降VCESAT的检测，测算功率半导体器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体模块和逆变器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921871709.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN211402616U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
李俊
申请人 ：
富士电机（中国）有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼
代理机构 ：
上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨楷
优先权 ：
CN201921871709.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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