一种边发射半导体激光器
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种边发射半导体激光器，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型下限制层、N型下模式扩展层、N型下低折射率层、N型下波导层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、P型上波导层、P型上低折射率层、P型上模式扩展层、P型上限制层和盖层；量子阱层采用InGaAs材料，第一势垒层和第二势垒层采用GaInP材料；N型下低折射率层和P型上低折射率层均采用Al0.5GaAs材料，N型下模式扩展层和P型上模式扩展层均采用Al0.35GaAs材料。本实用新型在传统的InGaAs/GaAs量子阱结构基础上，引入GaInP材料作为势垒，起到限制电子和应变缓冲的作用；并采用模式扩展层和低折射率层来降低垂直发散角和阈值电流，避免阈值电流随垂直发散角的降低而急速上升。
基本信息
专利标题 ：
一种边发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121520886.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-05
授权号 ：
CN216699076U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
苑汇帛张新勇刘浩飞杨绍林
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄宗波
优先权 ：
CN202121520886.4
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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