一种同带光子级联半导体激光器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种同带光子级联半导体激光器，衬底和制备在衬底上的半导体激光外延结构，半导体激光外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层；N型DBR层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层构成第一激光谐振腔，N型DBR层、稀土元素掺杂层、P型DBR层构成第二激光谐振腔，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成同带光子级联复合腔。本发明通过稀土元素掺杂层实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高发光效率，并实现窄线宽激光输出。
基本信息
专利标题 ：
一种同带光子级联半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336284A
申请号 ：
CN202111651669.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王智勇代京京兰天
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111651669.3
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/34
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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