化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在衬底上制造掺稀土元素的外延半导体层的ＣＶＤ方法。本方法采用气相的硅烷或锗烷与稀土元素化合物。通过本方法，制造出单相的掺过饱和稀土元素的半导体层。优选的烯土元素是铒，而用ＣＶＤ淀积铒的较佳先质是铒的六氟乙酰丙酮化物、乙酰丙酮化物、四甲基庚二酮化物及氟辛二酮化物。本方法可用于制造包括硅衬底与掺铒外延硅薄膜的光电子器件。
基本信息
专利标题 ：
化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1085353A
申请号 ：
CN93117079.6
公开（公告）日 ：
1994-04-13
申请日 ：
1993-08-30
授权号 ：
CN1054234C
授权日 ：
2000-07-05
发明人 ：
大卫·Ｂ·彼迟
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93117079.6
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101343153641
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL931170796
申请日 : 19930830
授权公告日 : 20000705
终止日期 : 20110830
号牌文件序号 : 101343153641
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL931170796
申请日 : 19930830
授权公告日 : 20000705
终止日期 : 20110830
2000-07-05 ：
授权
1994-04-13 ：
公开
1994-04-06 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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