等离子体涂布方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明描述了等离子体涂布聚烯烃或聚乳酸容器内表面以提供对气体渗透的有效屏蔽的方法。本发明提供了在容器内表面上迅速均匀地沉积非常薄的、粘附的且几乎无缺陷的聚有机硅氧烷和氧化硅(或无定形碳)层，以实现使屏蔽性能提高大于一个量级。
基本信息
专利标题 ：
等离子体涂布方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101039993A
申请号 ：
CN200580034771.1
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·M·魏克特T·史密斯
申请人 ：
陶氏环球技术公司
申请人地址 ：
美国密歇根州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200580034771.1
主分类号 ：
C08J7/04
IPC分类号 ：
C08J7/04 C23C16/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J7/00
高分子物质成形制品的化学处理或涂层
C08J7/04
涂层
法律状态
2012-12-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101490775279
IPC(主分类) : C08J 7/04
专利申请号 : 2005800347711
申请公布日 : 20070919
号牌文件序号 : 101490775279
IPC(主分类) : C08J 7/04
专利申请号 : 2005800347711
申请公布日 : 20070919
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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