用于退火半导体器件内的俘获电荷的结构和方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种结构和相关方法，其用于将俘获的电荷从半导体器件退火掉。该半导体结构包括衬底和第一加热元件。该衬底包括主体层、绝缘体层和器件层。该第一加热元件形成在主体层内。第一加热元件的第一面邻近绝缘体层的第一部分。第一加热元件适于被选择性启动以产生热能，从而加热绝缘体层的第一部分并将俘获的电荷从绝缘体层的第一部分退火掉。
基本信息
专利标题 ：
用于退火半导体器件内的俘获电荷的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790725A
申请号 ：
CN200510120363.X
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·M·艾特肯伊桑·H·卡农菲利普·J·奥尔迪格斯阿尔文·W·斯特朗
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510120363.X
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
法律状态
2012-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101169509739
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL200510120363X
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20101111
号牌文件序号 : 101169509739
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL200510120363X
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20101111
2008-12-17 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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