具有多层超导结构的电路及其制造方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
一种在半导体衬底上具备超导膜的电路，与超导膜相接触的表面由耐热非氧化绝缘膜组成，以使超导膜的性能不下降。
基本信息
专利标题 ：
具有多层超导结构的电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88102047A
申请号 ：
CN88102047.8
公开（公告）日 ：
1988-10-19
申请日 ：
1988-03-31
授权号 ：
CN1033543C
授权日 ：
1996-12-11
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88102047.8
主分类号 ：
H01L27/18
IPC分类号 ：
H01L27/18 H01L21/70
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1996-12-11 ：
授权
1990-02-07 ：
实质审查请求
1988-10-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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