具有包覆层的互连结构及其制造方法

专利权的终止

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摘要

一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。

基本信息

专利标题：

具有包覆层的互连结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101099235A

申请号：

CN200580046544.0

公开（公告）日：

2008-01-02

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

L·A·克莱文格T·J·达尔顿L·C·苏C·J·拉登斯T·E·斯坦德尔特K·K·H·黄杨智超

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580046544.0

主分类号：

H01L21/4763

IPC分类号：

H01L21/4763

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IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

H01L21/46

用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/461

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/4763

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理

法律状态

2020-11-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/4763
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20191202

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/4763
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/4763
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-07-22 ：

授权

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2008-01-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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