具有内连结构的装置及其制造方法
授权
摘要
在实施例中，一种具有内连结构的装置包括：内连结构，位于衬底之上，所述内连结构包括第一金属线及第二金属线，所述第一金属线长于所述第二金属线；表面介电层，位于所述内连结构之上；多个第一通孔，位于所述表面介电层中；第一结合接垫，位于所述表面介电层中，其中所述第一结合接垫经由所述第一通孔连接到所述第一金属线的第一端部；多个第二通孔，位于所述表面介电层中；第二结合接垫，位于所述表面介电层中，所述第二结合接垫与所述第一结合接垫彼此分离，其中所述第二结合接垫经由所述第二通孔连接到所述第一金属线的第二端部；以及第三结合接垫，位于所述表面介电层中，其中所述第三结合接垫经由第三通孔连接到所述第二金属线。
基本信息
专利标题 ：
具有内连结构的装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427746A
申请号 ：
CN201711250887.X
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-12-01
授权号 ：
CN109427746B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
陈英儒余振华陈宪伟陈明发胡致嘉
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN201711250887.X
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20171201
申请日 : 20171201
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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